Samsung Galaxy S8 на Snapdragon 835 проиграл процессору Kirin 960 в бенчмарке 9

Топовый процессор текущего года Qualcomm Snapdragon 835 наконец показался в тестах производительности. В Snapdragon 810 была обнаружена проблема с перегревом, однако в новом флагманском процессоре данный недочет должны исправить.

snapdragon_835-gpu-gfxbench_t-rex-on

Тестируемым устройством, предположительно, стал Samsung Galaxy S8. По результатам теста, Snapdragon 835 не стал повелителем всех чипов. Он стал лучше по сравнению с 821, но уступил Kirin 960. И это удивительно, Huawei обскакал топовый чип от Qualcomm… Так же в тесте GeekBench видно, что Snapdragon 835 оказался немного мощнее процессора в iPhone 7 Plus.

snapdragon_835-gpu-gfxbench_t-rex-off

Актуальность показателей производительности в бенчмарках все еще остается под вопросом, в работе устройства на Android с одинаковым процессором могут вести себя иначе. Тот же iPhone в играх и тяжелых приложениях ведет себя расторопней любого Android-флагмана. Годы идут, а ситуация кардинально не меняется.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, отправьте автору подзатыльник! Выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

18 просмотров всего, 1 просмотров сегодня

Предыдущая записьСледующая запись
  • Юрий Пичугин

    Сколько лет еще 810-ый с его перегревом будут вспоминать?

  • http://vk.com/vladimir_n5 Владимир Малютин

    Проблему с перегревом ещё в 820 исправили ?

  • Михаил Шашков

    Пока не умрет поколение, заставшее его

  • Ivan Yudin
  • Ivan Yudin

    Совсем другие результаты

  • Ivan Yudin

    Кому верить

  • Crack Bird

    я не специалист, но разве можно сравнивать устройства с 2к экраном и с фулхд вместе и говорить о каком то выигрыше?

  • Иван

    Да можно, так как рендер картинки у iPhone, как у iPhone7 так и у iPhone 7 plus происходит в разрешении 2к, не смотря на то, что само разрешение экрана далеко от этих цирф.

  • Crack Bird

    Я про хуавей и самсунг) айфон это другой мир, про него нет речи)

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: